Institute of Semiconductors, Academia Sinica, Beijing 100083, CHN
1 太原工业大学激光研究所, 太原 030024
2 中国科学院半导体所, 北京 100083
3 北方交通大学物理系, 北京 100044
本文利用散射矩阵法和两步等效反射率法,分别就强耦合和弱耦合情况分析了耦合腔激光器的单模工作机理,并给出数值计算结果。
耦合腔半导体激光器 散射矩阵法 两步等效反射率法
在室温至600℃退火D2+轰击过的GaAs单晶片,只要退火温度低于200℃,得到的电阻率可达(1～2)×108欧姆.厘米。用D2+轰击(GaAl)As/GaAs双异质结构片,制成的隔离条形激光器,近场、光谱、频率响应及退火等特性都与H+轰击激光器差不多。
对研制的(GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形DH激光器的退化原因进行了实验分析。结果表明:快退化主要起因于有源区内的暗点、暗线及暗区等缺陷的增殖;腔面氧化是限制寿命在千小时的原因之一;质子轰击引入的点缺陷移入有源区是器件限制寿命在万小时的原因之一。
